HighPowerTransistor.JPG.]] Transistoren er ein elektronisk komponent som vart funnen opp ved Bells laboratorium i 1947. Transistoren er ein viktig byggestein i nesten all elektronikk. Alle datamaskinar inneheld komponentar som atter er bygde opp av transistorar. Ein kan mellom anna skilje mellom bipolare transistorar og felteffekttransistorar.

Bipolar transistor

---

Bipolare transistorar (BJT) er laga av 3 lag halvleiarmateriale kalla base, kollektor og emitter. Halvleiermaterialet kan til dømes vere germanium eller silisium. I dag er silisium det vanlegste materialet å bruke. Det finst to typar transistorar, den eine vert kalla NPN som leier straum når base har positiv spenning i høve til emitter, og PNP som leier når base er negativ i høve til emitter.

Den bipolaren transistoren fungerar ved at han byrjar å leie straum mellom emitter og kollektor når det vert sett spenning på basen. Transistoren tek til å leie når spenninga mellom base og emitter går over kontaktpotensialet i PN-overgangen (ca 0,7V). Kollektorstraumen vil då vere gjeven av EbersMoll-likninga:

$I\_C\; =\; IS\; \backslash cdot\; e^\{(V\_\{BE\}/vT)\}$

Transistoren fungerer som ein forsterkar for straumen mellom base og kollektor ved at straumen frå kollektor til emitter aukar når straumen fra base til kollektor aukar.

Felteffekttransistor

---

FET cross section.png

Felteffekttransistor finst i to utgåver, JFET og MOSFET. I digital elektronikk er MOSFET i dag fullstendig dominerande.

MOSFET har tre terminalar, kalla source, drain og gate. Når ein set på ein positiv spenning på gate (NMOS), vert det danna eit deplesjonsområde under gate. Når potensialet mellom gate og source går over ei viss terskelspenning, vert det opna ein resistiv kanal mellom source og drain som kan leie straum.

Så lenge transistoren er i lineærregionen (også kalla triodeområdet), dvs at $V\_\{GS\}\; >\; V\_\{th\}$ og , vil straumen flyte fra drain til source etter likninga

$I\_D=\; \backslash frac\{\backslash mu\_n\; C\_\{ox\}\}\{2\}\backslash frac\{W\}\{L\}(2(V\_\{GS\}-V\_\{th\})V\_\{DS\}-V\_\{DS\}^2)$

Når $V\_\{GS\}\; >\; V\_\{th\}$ og $V\_\{DS\}\; >\; V\_\{GS\}\; -\; V\_\{th\}$, vil transistoren gå over i det aktive operasjonsområdet (metningsregionen). Her vil straumen gjennom transistoren ideellt sett einast vere avhengig av spenninga på gate.

$I\_D\; =\; \backslash frac\{\backslash mu\_n\; C\_\{ox\}\}\{2\}\backslash frac\{W\}\{L\}(V\_\{GS\}-V\_\{th\})^2$

I realiteten fører kanallengdmodulasjon til at straumen også er svakt avhengig av $V\_\{DS\}$

I digital elektronikk vil MOSFET-transistorane vere anten av eller i triodeområdet, metningsområdet vert nytta når ein til dømes skal lage ein analog forsterkar.

Transistor | Transistor | Transistor | ترانزستور | Tranzistor | Транзистор | Transistor | Tranzistor | Transistor | Transistor | Transistor | Transistor | Transistoro | Trantsistore | ترانزیستور | Transistor | Transistôr | 트랜지스터 | Tranzistor | Transistor | Transistor | Transistor | טרנזיסטור | Transistor | Tranzistors | Tranzisztor | Transistor | トランジスタ | Tranzystor | Transístor | Tranzistor | Транзистор | Tranzistor | Tranzistor | Транзистор | Tranzistor | Transistori | திரிதடையம் | Tranzistor | ทรานซิสเตอร์ | Transistör | 晶体管