| Eigenschaften | - |
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| Aluminium - Silizium - Phosphor | - | C Si Ge | |
| Isotop | NH | t1/2 | ZM | ZE MeV | ZP | - | 26Si | {syn} | 2,234 s | ε | 5,066 | 26Al | - | 27Si | {syn} | 4,16 s | ε | 4,812 | 27Al | - | 28Si | 92,23 % | Si ist stabil mit 14 Neutronen | - | 29Si | 4,67 % | Si ist stabil mit 15 Neutronen, Kernspin I=1/2, NMR-aktives Isotop | - | 30Si | 3,1 % | Si ist stabil mit 16 Neutronen | - | 31Si | {syn} | 157,3 min | β- | 1,492 | 31P | - | 32Si | {syn} | 276 a | β- | 0,224 | 32P | - | 33Si | {syn} | 6,18 s | β- | 5,845 | 33P | - | 34Si | {syn} | 2,77 s | β- | 4,601 | 34P |
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Silizium (von lat. silex „Kiesel“, fachsprachlich nach internationalen und nationalen Nomenklaturregeln jedoch nur mit der Schreibung: Silicium; engl.: silicon) ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14. Es steht in der 4. Hauptgruppe (Tetrele) und 3. Periode des Periodensystems der Elemente.
Silizium ist ein Elementhalbleiter. Wie nur wenige andere Stoffe, weist Silizium eine Dichteanomalie auf: seine Dichte ist in flüssiger Form höher als in fester.
Elementares Silizium ist für den menschlichen Körper ungiftig, in gebundener silikatischer Form ist Silizium für den Menschen wichtig. Siliziummangel führt unter anderem zu Wachstumsstörungen des Knochengerüstes. Der menschliche Körper enthält etwa 20 mg/kg Körpergewicht Silizium. Der Wert nimmt im Alter jedoch ab.
Elementares Silizium kann im Labormaßstab durch Reduktion, ausgehend von Siliziumdioxid oder Siliziumtetrafluorid, mit unedlen Metallen gewonnen werden. Bei Reaktion 2.) handelt es sich um ein aluminothermisches Verfahren, die dritte Route entspricht der Elemententdeckung:
Hoch reaktives amorphes Silizium kann durch Reduktion mit Natrium oder Acidolyse von Siliciden erhalten werden:
Elementares Silizium findet in unterschiedlichen Reinheitsgraden Verwendung in der Metallurgie (Ferrosilizium), der Photovoltaik (Solarzellen) und in der Mikroelektronik (Halbleiter, Computerchips). Demgemäß ist es in der Wirtschaft gebräuchlich, elementares Silizium anhand unterschiedlicher Reinheitsgrade zu klassifizieren. Man unterscheidet Simg (metallurgical grade, Rohsilizium, 98-99 % Reinheit), Sisg (solar grade, Solarsilizium, 99,99 % Reinheit) und Sieg (electronic grade, Halbleitersilizium, Verunreinigungen < 1 ppb).
Von diesem industriellen Rohsilizium (Simg) wurden im Jahr 2002 etwa 4,1 Millionen Tonnen hergestellt. Es ist für metallurgische Zwecke ausreichend sauber und findet Verwendung als Legierungsbestandteil für Weißblech und Stähle (Verbesserung der Korrosionsbeständigkeit) sowie als Ausgangsstoff für die Silanherstellung über das Müller-Rochow-Verfahren, welche schließlich im Wesentlichen zur Herstellung von Silikonen dienen. Zur Herstellung von Ferrosilizium für die Stahlindustrie (Desoxidationsmittel im Hochofenprozess) wird zweckmäßigerweise nachfolgende Reaktion unter Anwesenheit von elementarem Eisen durchgeführt.
Nach aufwändigen Destillationsschritten wird das Trichlorsilan in Anwesenheit von Wasserstoff in einer Umkehrung der obigen Reaktion an beheizten Reinstsiliziumstäben bei 1000 bis 1200 °C wieder thermisch zersetzt. Das elementare Silizium wächst dabei auf die Stäbe auf. Der dabei freiwerdende Chlorwasserstoff wird in den Kreislauf zurückgeführt. Als Nebenprodukt fällt Siliziumtetrachlorid an, welches entweder zu Trichlorsilan umgesetzt und in den Prozess zurückgeführt, oder in der Sauerstoffflamme zu pyrogener Kieselsäure verbrannt wird.
Eine chlorfreie Alternative zu obigem Verfahren stellt die Zersetzung von Monosilan dar, welches ebenfalls aus den Elementen gewonnen werden kann und nach einem Reinigungsschritt an beheizten Oberflächen oder beim Durchleiten durch Wirbelschichtreaktoren wieder zerfällt.
Das auf diesen Wegen erhaltene polykristalline Silizium (Polysilizium) ist für die Herstellung von Solarpanels geeignet und besitzt eine Reinheit von über 99,99 %. In der Solartechnik werden genau wie beim Einsatz in der Mikroelektronik die halbleitenden Eigenschaften des Siliziums ausgenutzt.
Nur noch von historischem Interesse ist ein Verfahren, das früher von der Firma DuPont angewendet wurde. Es basierte auf der Reduktion von Tetrachlorsilan mit elementarem Zinkdampf bei Temperaturen von 950 °C.
Aufgrund technischer Probleme und der großen Mengen an anfallendem Zinkchloridabfall, wird dieses Verfahren jedoch heute nicht mehr angewendet.
Für Anwendungen in der Mikroelektronik wird hochreines, monokristallines Halbleitersilizium (Sieg) benötigt. Insbesondere müssen Verunreinigung mit Elementen, welche auch als Dotierelemente geeignet sind, mithilfe des Tiegelziehens oder Zonenschmelzens unterhalb kritischer Werte gebracht werden.
Beim Tiegelziehen (Czochralski-Verfahren) wird das im Siemensverfahren erhaltene Solarsilizium in Quarztiegeln geschmolzen. Ein Impfkristall aus hochreinem, monokristallinen Silizium wird in diese Schmelze gebracht und langsam unter Drehen aus der Schmelze herausgezogen, wobei hochreines Silizium in monokristalliner Form auf dem Kristall wächst und nochmals Verunreinigungen in der Schmelze zurückbleiben. Physikalischer Hintergrund dieses Reinigungsverfahrens ist die Schmelzpunkterniedrigung.
Alternativ wird beim Zonenschmelzen mit Hilfe einer (ringförmigen) elektrischen Induktionsheizung eine Schmelzzone durch einen Siliziumstab gefahren, wobei sich ein Großteil der Verunreinigungen in der Schmelze lösen und mitwandern.
Hochreines, kristallines Silizium ist das Grundmaterial schlechthin für die Mikroelektronik. Alle gängigen Computerchips, Speicher, Transistoren etc. verwenden hochreines Silizium als Ausgangsmaterial. Diese Anwendungen beruhen auf der Tatsache, dass Silizium ein Halbleiter ist. Durch die gezielte Einlagerung von Fremdatomen (Dotierung), wie beispielsweise Indium, Antimon, Arsen, Bor oder Phosphor, können die elektrischen Eigenschaften von Silizium in einem weiten Bereich verändert werden. Dadurch lassen sich verschiedenste elektronische Schaltungen realisieren. Wegen der zunehmenden Bedeutung der elektronischen Schaltungen spricht man auch vom Silizium-Zeitalter. Auch die Bezeichnung Silicon Valley („Silizium-Tal“) für die Hightech-Region in Kalifornien weist auf die enorme Wichtigkeit des Siliziums in der Halbleiter- und Computerindustrie hin.
Amorphes Silizium kann mit Hilfe von Excimerlasern in polykristallines Silizium umgewandelt werden. Dies ist für die Herstellung von Dünnfilmtransistoren (Thin-Film-Transistor, TFT) für Flachbildschirme von zunehmender Bedeutung.
Weltweit stellen aufgrund der hohen Anfangsinvestitionen und langen Bauzeiten für die notwendigen Öfen nur wenige Firmen Rohsilizium her.
Die größten Produzenten für metallurgisches Silizium sind
Die Hauptproduzenten von Reinstsilizium für die Elektronik- und Solarindustrie mit einer Reinheit von über 99,9999% sind Wacker-Chemie aus Deutschland, die REC Gruppe aus Norwegen, Hemlock aus den USA, Tokuyama sowie ASiMI aus Japan (Stand 2004/2005).
In allen in der Natur auftretenden und der überwiegenden Zahl der synthetisch hergestellten Verbindungen bildet Silizium ausschließlich Einfachbindungen aus. Die lange Jahre als gültig angesehene Doppelbindungsregel, wonach Silizium als Element der 3. Periode keine Mehrfachbindungen ausbildet, muss mittlerweile jedoch als überholt angesehen werden, da inzwischen eine Vielzahl synthetisch hergestellter Verbindungen mit Si-Si-Doppelbindungen bekannt sind. Im Jahr 2004 wurde die erste Verbindung mit einer formalen Si-Si-Dreifachbindung strukturell charakterisiert.
Silizium tritt in chemischen Verbindungen in der Regel vierwertig auf, es sind allerdings auch synthetisch hergestellte Verbindungen des zweiwertigen Siliziums (Silylene) bekannt. Demgemäß ist das Siliziumatom in Verbindungen in der Regel vierfach koordiniert. Daneben existieren aber mittlerweile eine Reihe von Verbindungen in denen Silizium eine fünf- oder sechsfache Koordination aufweist.
Silizium stellt in aller Regel den elektropositiven Partner einer chemischen Verbindung dar, obwohl auch Verbindungen mit formal negativiertem Silizium existieren. Si-C-Inversion.GIF Besonders erwähnenswert ist die Inversion der Bindungspolarität von Element-Wasserstoff-Bindungen beim Übergang von Kohlenstoff zum Silizium. Hier ändert sich die Elektronegativitätsdifferenz von +0,45 (Kohlenstoff-Wasserstoff) auf -0,2, weshalb Siliziumwasserstoffverbindungen eine gänzlich andere Reaktivität als Kohlenwasserstoffe aufweisen.
Daneben bildet Silizium in den Siliziden auch echte Anionen aus.
Die gesamte Chemie des Siliziums ist im Wesentlichen durch die hohe Affinität des Siliziums zum Sauerstoff geprägt.
Die wichtigsten Verbindungen des Siliziums kann man in folgende Klassen einteilen, von denen jeweils einige Vertreter genannt sind.
| Quartz Crystal.jpgkristall]] | Siliciumcarbid.jpg ]] |
Werden SiO4-Tetraeder durch organische Reste modifiziert und polymerisiert, erhält man die Silikone (Silicone), die zu den wichtigsten industriellen Kunststoffen gehören. Diese polymeren Silizium-Sauerstoff-Verbindungen (Silikone) finden Anwendung in vielen Bereichen, so dienen sie als Schmiermittel und Dichtstoffe in der Bauindustrie.
Silizium ist wie die im Periodensystem benachbarten Germanium, Gallium, Phosphor und Antimon ein Elementhalbleiter. Der gemäß dem Bändermodell geltende energetische Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband beträgt 1,09 eV. Durch Dotierung mit geeigneten Dotierelementen beispielsweise Bor oder Arsen kann die Leitfähigkeit um einen Faktor 106 gesteigert werden. In solchermaßen dotierten Silizium ist die durch die von Fremdatomen und Gitterdefekten verursachte Störstellenleitung deutlich größer als die der Eigenleitung, deshalb werden derartige Materialien als Störstellenhalbleiter bezeichnet.
Poröses Silizium kann unter Lasereinstrahlung und Zunahme von Sauerstoff hochexplosiv sein, wie Forscher der Technischen Universität München zufällig entdeckt haben. Sprengungen im Mikrometerbereich sind möglich. Die Detonationsgeschwindigkeit und Detonationsenergie sind höher als bei TNT und Dynamit. Ob diese Eigenschaft in Zukunft technisch genutzt werden oder sogar das Dynamit ersetzen kann, ist allerdings noch fraglich. Denn um poröses Silizium reaktionsfähig zu machen sind Temperaturen von unter -180 °C erforderlich. Die Verwendung von flüssigem Sauerstoff steigert den Effekt noch, da durch bessere Versorgung der Siliziumoberfläche mit Sauerstoff eine möglichst vollständige Verbrennung des Materials erreicht wird. Allerdings ist die Oberfläche des porösen Siliziums dabei vollständig mit einer monoatomaren Schicht Wasserstoff bedeckt, die natürlich ebenfalls sehr exotherm mit Sauerstoff reagieren dürfte (Knallgas-Reaktion).
Mögliche Einsatzgebiete wären im Weltraum zu suchen, wo solche Temperaturen vorherrschen. Durch die hohe Präzision ließen sich z. B. Satelliten vom Mutterschiff abtrennen. Denkbar wäre ein Einsatz auch in der Automobilindustrie zur schnelleren Zündung für Airbags.
Silikatische Mineralien werden permanent durch Reaktion mit dem Kohlendioxid der Luft zu Siliziumdioxid und Carbonaten abgebaut, wie am Beispiel des Kalziumsilikats gezeigt:
Bei Zutritt von Wasser löst sich das verbliebene Siliziumdioxid in Form von Kieselsäure und wird in die Ozeane transportiert:
Durch Einbau der Kieselsäure in Meeresorganismen (1.), die nach dem Absterben auf den Meeresboden sedimentieren, Vulkanismus und Austritt von Magma am Meeresboden werden die silikatischen Mineralien wieder zurückgebildet (2.) und der Kreislauf ist geschlossen:
Der Zeithorizont, in dem dieser Prozess stattfindet, beträgt mehrere Millionen Jahre, ist also beträchtlich länger als im Fall des Kohlenstoffkreislaufs der belebten Natur.
Chemisches Element | Gruppe-14-Element | Periode-3-Element | Halbmetall | Halbleiter | Sprengstoff
Silikon | سليكون | Силиций | Silici | Křemík | Silicon | Silicium | Silicon | Silicio | Silicio | Räni | Pii (alkuaine) | Silicium | Silicio (elemento) | צורן (יסוד) | Silicij | Szilícium | Silikon | Siliko | Kísill | Silicio | ケイ素 | 규소 | Silicium | Silicis | Silīcijs | Takawai | Silikon | Silicium | Silisium | Silisium | Silici | Krzem | Silício | Кремний | Silicij | Silicon | Kremík | Silicij | Силицијум | Kisel | ซิลิคอน | Silisyum | سىلىتسىي | Кремній | Silic | 硅
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