Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Über- bzw. ein Unterschuß (Mangel) von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).

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