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Der Pentium M, der in Intels Forschungs- und Entwicklungszentren in Israel entwickelt und im März 2003 auf den Markt gebracht wurde, ist ein x86-Prozessor der sechsten Generation, der in Intels "Fab8" in Jerusalem und der "Fab18" in Kiryat Gat, in Israel produziert wird (daher auch die Codenamen für die einzelnen Modelle Dothan, Yonah, Banias etc., die sich alle auf Orte in Israel beziehen). Ursprünglich als Notebookprozessor gedacht, wird er heutzutage vermehrt auch in Industrierechnern und Desktop-PCs eingesetzt, bei denen es auf niedrige Geräuschentwicklung und geringen Stromverbrauch bei hoher Rechenleistung ankommt. Einige Hersteller fertigen bereits entsprechende Hauptplatinen.
Entwicklung
Banias
Eine Besonderheit des Pentium M ist, dass er keine energiesparende Version des Pentium 4, sondern ein stark modifizierter
Pentium III ist, welcher wiederum ursprünglich auf den
Pentium Pro zurückgeht. Er ist auf einen niedrigen Stromverbrauch optimiert, da dies zur Verlängerung der Batterielaufzeit in
Notebooks beiträgt. Der Pentium M läuft mit einer wesentlich niedrigeren Taktfrequenz als der
Pentium 4, erreicht aber eine ähnliche Leistung. Ein Pentium M mit 1,6 GHz rechnet etwa genauso schnell oder schneller als ein 2,4-GHz-Pentium 4 Northwood,
FSB 400, ohne
Hyper-Threading.
Im Prinzip vereint der Pentium M den Kern eines Pentium III mit einem Pentium-4-kompatiblen Businterface, einem verbesserten Steuerwerk und der doppelten Menge an Cache (64 KB L1- und 1 MB L2-Cache, Pentium III: 32 KB L1- und 256 oder 512 KB L2-Cache). Beim normalerweise relativ energiehungrigen L2-Cache verwendet der Pentium M eine neuartige Technik, die verhindern soll, dass Teile, die gerade nicht gebraucht werden, Strom verbrauchen. Auch werden Takt und Kernspannung der CPU im laufenden Betrieb gedrosselt, wenn gerade nur wenig Rechenleistung gefordert wird (typisch sind etwa 600 MHz). Intel nennt diese Technik SpeedStep.
Dothan
Pentium M Dothan Backside.jpg
Am 10. Mai 2004 brachte Intel eine verbesserte Version des Pentium M auf den Markt (Codename Dothan). Diese Prozessoren waren die ersten von Intel, die anstelle des Taktes (z.B. 2 GHz) mit einer dreistelligen Nummer bezeichnet werden: 725 (1,6 GHz), 735 (1,7 GHz), 745 (1,8 GHz), 755 (2,0 GHz), 765 (2,10 GHz), 770 (2,13 GHz), 780 (2,26 GHz). Das Design wurde im wesentlichen vom alten Banias-Kern übernommen, der L2-Cache auf 2 MB vergrößert. Gefertigt wird der Dothan in einem 90-nm-Prozess, was die
TDP von 24,5 auf 21 Watt senkte. Die Verlustleistung im Leerlauf stieg dagegen ein wenig an. Im Mittel ergeben sich durch die 90nm-Fertigung allenfalls sehr kleine Vorteile in Bezug auf die Batterielebensdauer, der jedoch klare Leistungsvorteile hauptsächlich durch den verdoppelten Cache gegenüberstehen.
Am 19. Januar 2005 stellte Intel neue Pentium-M-Modelle vor, die mit 133 MHz FSB (FSB 533) arbeiten, was den Speicherdurchsatz und die Gesamtleistung des Pentium M weiter beschleunigte.
Aktuelle Pentium-Ms besitzen das sogenannte Execute-Disable XD-Bit (No-Execution-Flag), welches verhindern soll, dass die CPU Code in Stack- und Datenbereichen ausführen kann. 1
Zukunft
Anfang
2006 stellte Intel mit
Intel Core Solo und
Intel Core Duo die nächste Generation Notebookprozessoren vor. Mit dem neu eingeführten Markennamen
Core wird die Bezeichnung
Pentium M in Zukunft aussterben. Die Technik wird aber in den neuen Prozessoren fortgeführt werden.
Modelldaten
Banias
- L1-Cache: 32 + 32 KB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 1.024 KB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, EIST,
- Sockel 479, AGTL+ mit 100 MHz (quadpumped: FSB400)
- Betriebsspannung (VCore): 1,388 Volt (nur 1.3 GHz), 1,484 Volt
- Erscheinungsdatum: 2003
- Fertigungstechnik: 130 nm
- Die-Größe: 82,8 mm² bei 77 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1.3 bis 1.7 GHz in 100-MHz-Schritten
Dothan
- L1-Cache: 32 + 32 KB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 2.048 KB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, EIST, NX-Bit (neuere Modelle)
- Sockel 479, AGTL+ mit 100 und 133 MHz (quadpumped: FSB400 und FSB533)
- Betriebsspannung (VCore): 1,276 V bis 1,340 V
- Erscheinungsdatum: 2004, Januar 2005 (FSB 533-Versionen)
- Fertigungstechnik: 90 nm
- Die-Größe: 83,6 mm² bei 140 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,5 bis 2,26 GHz
- Modellnummern FSB 400 (TDP 21W):
- 710: 1,40 GHz
- 715: 1,50 GHz
- 725: 1,60 GHz
- 735: 1,70 GHz
- 745: 1,80 GHz
- 755: 2,00 GHz
- 765: 2,10 GHz
- Modellnummern FSB 533 (TDP 27W):
- 730: 1,60 GHz
- 740: 1,73 GHz
- 750: 1,86 GHz
- 760: 2,00 GHz
- 770: 2,13 GHz
- 780: 2,26 GHz
- Modellnummern FSB 400 LV (TDP 10W):
- 738: 1,40 GHz
- 758: 1,50 GHz
- 778: 1,60 GHz
- Modellnummern FSB 400 ULV:
- 723: 1,00 GHz (TDP 5W)
- 733: 1,10 GHz (TDP 5W)
- 733J: 1,10 GHz (TDP 5,5W)
- 753: 1,20 GHz (TDP 5,5W)
- 773: 1,30 GHz (TDP 5,5W)
siehe auch
Weblinks
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