PIN-Diode

Die pin-Diode (engl. positive intrinsic negative diode) ist ähnlich wie eine Silizium- oder Germanium-Diode aufgebaut. Jedoch befindet sich die p-dotierte Schicht nicht direkt bei der n-dotierten Schicht, sondern es befindet sich eine schwach dotierte i-Schicht dazwischen. Das i steht hierbei für intrinsic. Sie enthält fast keine freien Ladungsträger und ist somit hochohmig.

Pin-Diode.svg

Es handelt sich daher um ein elektronisches Bauelement.

Funktion

Bei pin-Dioden ist die Lebensdauer der Ladungsträger (Elektronen) mit

\tau \approx

in der undotierten i-Schicht besonders hoch. Daher bleibt die pin-Diode auch dann leitend, wenn nur kurze Spannungsimpulse mit einer Impulsdauer von

t_{\rm P} \ll \tau

anliegen. In diesem Zustand verhält sich eine pin-Diode wie ein Ohmscher Widerstand, der proportional zum mittleren Strom

{\overline{I}}_{\rm D,{pin}}

ist.

$r_{\rm D,{pin}} \approx \frac{n \cdot U_T}_{\rm D,{pin}}}$

In Durchlassrichtung funktioniert die pin-Diode dabei ähnlich wie eine normale Halbleiterdiode. Betreibt man die Diode in Sperrrichtung, ergibt sich in der p- und der i-Zone eine unterschiedlich breite Raumladungszone (RLZ). Durch die breite RLZ in der i-Zone sind diese Dioden für hohe Sperrspannungen geeignet.

Anwendung

pin-Dioden werden hauptsächlich in der Hochfrequenzanwendung als gleichtromgesteuerter Widerstand, als Gleichrichter, oder als Halbleiterdetektoren (Fotodioden) zur Strahlungsmessung und Lichtwellenleitern (LWL) eingesetzt.

Gleichstromgesteuerter Widerstand

Durch das Verhalten als ohmscher Widerstand bei hohen Frequenzen von

f \gg {\tau}^{-1}

kann man eine pin-Diode für Frequenzen als gleichstromgesteuerten Wechselspannungswiderstand einsetzen. Dabei überlagert man den hochfrequenten Wechselstrom mit einem Gleichstrom, wodurch man den Widerstand der i-Zone steuern kann.

Bild:Spannungsteiler_f._Wechselspannungen_mit_pin-Diode2.GIF|Spannungsteiler für Wechselspannungen mit pin-Diode Bild:Pi-Dämpfungsglied.gif|Schaltung eines π-Dämpfungsglieds

In Hochfrequenzschaltungen mit $f > {2 \dots 100 \, {\rm MHz}} \gg {\tau}^{-1}$ werden meist $\pi$ -Dämpfungsglieder mit drei pin-Dioden eingesetzt. Dadurch kann man eine Anpassung an den Wellenwiderstand (meist 50 $\Omega$ ) vornehmen.

Zudem haben pin-Dioden aufgrund der relativ dicken i-Zone eine geringe Sperrschichtkapazität. Dadurch kann man diese, mit der Schaltung des π-Dämpfungsgliedes im Kurzschluss-Serien-Kurzschluss-Betrieb, auch als Hochfrequenzschalter einsetzen, wobei bei ${\overline{I}}_{\rm D,{pin}} = 0$ eine starke Sperrdämpfung entsteht.

Fotodiode

Die pin-Diode und die Lawinenphotodiode werden in der Optoelektronik für die optische Nachrichtentechnik für Lichtwellenleiter (LWL) verwendet. Je nach Anwendungszweck wird eine der beiden eingesetzt. pin-Dioden sind hierbei aufgrund der dicken i-Schicht temperaturstabiler und kostengünstiger aber weniger empfindlich als die Lawinenphotodioden, da in dieser mehr Ladungsträger gespeichert werden können.

Spitzenwerte für die Empfindlichkeit liegen zwischen -40 dB (25 Mi b s^-1) und bei -55 dB (2 Mi b s^-1) bei 850 nm Wellenlänge.

Literatur

Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm, Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer 2002, 12. Auflage, ISBN 3540428496

Weblinks

Elektronik-Kompendium zum Thema Diode und Hochfrequenzschalter.

Siehe auch

Halbleiterbauelement | Optische Nachrichtentechnik

PIN diode | Diode PIN