Fotolithografie

Die Photolithographie bzw. Fotolithografie ist ein lithografisches Reproduktionsverfahren, bei dem mittels Belichtung Muster auf Materialien aufgebracht werden. Sie ist in der Drucktechnik und der Halbleitertechnik von Bedeutung.

Drucktechnik

In der Drucktechnik werden in diesem Verfahren Halbtonnegative auf beschichtete Steinplatten belichtet. Diese wurden zuvor mit einer lichtempfindlichen Asphaltschicht versehen, die über mehrere Stunden belichtet wird, wobei die Lichteinwirkung für eine Aushärtung des Asphaltes sorgt. Verschiedene Terpentinöle entfernen bei der Entwicklung die noch unbelichteten Partien, wodurch, je nach Halbtonwert, eine körnige Oberflächenstruktur verbleibt. Diese Technik basiert auf den fotografischen Experimenten zur Asphaltfotografie durch Joseph Nicéphore Nièpce von 1826.

Im Bereich der Originalgrafik kommt dieser Technik ebenfalls Bedeutung zu. Arbeiten haben dann originalgrafischen Charakter, wenn sie mit Fotomaterialien schöpferisch manipulieren. Ein bekannter Vertreter dieser Technik ist Robert Rauschenberg.

Halbleitertechnik und Mikrosystemtechnik

In der Halbleitertechnologie und anderen verwandten Bereichen, wie der Mikrosystemtechnik, werden mittels der Fotolithografie Strukturinformation von einer sogenannten Fotomaske in einen Fotolack (engl. photo resist) übertragen. Der Fotolack selbst wird zuvor durch Spin-coating oder andere geeignete Methoden auf ein Substrat aufgebracht. Nicht zuletzt wegen der besonders guten Planarität werden bevorzugt Wafer aus Silizium verwendet. Nach der Entwicklung des latenten Bildes kann die Strukturinformation in eine darunterliegende Schicht übertragen werden. Der Fotolack wird danach wieder entfernt.

Für die Strukturübertragung gibt es zwei Möglichkeiten, nämlich

additive Methoden, bei denen Material in den Bereichen deponiert wird, in denen beim Entwickeln der Fotolack entfernt wurde, und
subtraktive Methoden, bei denen Material in diesen Bereichen entfernt wird (z. B. durch Ätzen).

Die subtraktiven Methoden überwiegen besonders in der reinen Halbleitertechnologie, während additive Methoden in der Mikrosystemtechnik von größerer Bedeutung sind (etwa die Galvanik beim LIGA-Prozeß).

Das Wiederholen dieser Prozessabfolge mit verschiedenen aufeinanderfolgenden Schichten und einer genauen Justierung der einzelnen Muster zueinander ist eine Schlüsseltechnik bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (umgangssprachlich "Mikrochips"). Die Weiterentwicklung der Fotolithografie bzw. ihre Ablösung durch neuere Verfahren sind mit entscheidend dafür, wie lange die Entwicklung der Mikroprozessortechnologie noch der Planungsgrundlage "Mooresches Gesetz"" wird folgen können.

Verfahren

Bei der Lithografie gibt es mehrere Verfahren, die sich unterscheiden hinsichtlich

der Wellenlänge des verwendeten "Lichts" und
des Abstandes bzw. Kontakts zwischen Fotomaske und Fotolack.

Optische Lithografie

Bei der optischen Lithografie wird die Struktur einer Fotomaske mittels Schattenwurf oder Projektion in einen lichtempfindlichen Fotolack übertragen. Die Auflösung wird im wesentlichen von der verwendeten Lichtwellenlänge bestimmt. Stand der Technik 2003 ist die Verwendung von ArF Excimerlaser mit einer Wellenlänge von 193 nm. Damit lassen sich mit der entsprechenden Kalziumfluorid-Optik Linienbreiten von ca. 130 nm erzeugen. Durch spezielle Techniken (z. B. Phasenmasken) lassen sich aber auch deutlich kleinere Strukturbreiten (Stand 2004: 65 nm mit 157 nm F₂ Excimerlaser) herstellen.

=Kontaktbelichtung

= Hier wird die Photomaske in direktem Kontakt mit dem Wafer gebracht. Das Verfahren bietet die beste Auflösung von den Schattenwurfverfahren, da der Auflösungsverlust durch Lichtbeugung entfällt. Nachteilig ist jedoch, dass die Maske bzw. der auf dem Wafer aufgebrachte Fotolack (Resist) durch den Kontakt beschädigt werden kann, z. B. wenn sich ein Staubkorn zwischen beiden befindet. Außerdem werden auch Defekte (z. B. Verunreinigungen der Maske) ebenso wie die erwünschten Strukturen 1:1 auf den Fotolack übertragen, was zu groben Fehlern wie beispielsweise Kurzschlüssen auf dem Wafer führen kann.

=Proximitybelichtung

Bei dieser Art der Belichtung wird die Maske mit einem Abstand von ca. 10-50 Mikrometern ("Proximity-Gap") über dem Fotolack positioniert. Dieser Proximity-Gap hilft, Resist und Maske vor Beschädigung zu schützen.

=Projektionsbelichtung

Bei der Projektionsbelichtung wird die Fotomaske nicht im Maßstab 1:1 im Resist abgebildet, wie es bei der Kontakt- und Proximitybelichtung naturgemäß der Fall ist, sondern die Masken werden durch ein Linsensystem verkleinert (typischerweise im Maßstab 5:1) abgebildet. Da die Abbildung einer Maske auf diese Weise nicht den ganzen Wafer abdecken kann, werden die Wafer mittels extrem präziser Mechaniken (z.B.: Piezo-Linearantrieb) verfahren und so positioniert, daß die Abbilder der Maske auf einem Raster mit engen Toleranzen liegen (sogenanntes "step-and-repeat"-Verfahren, die dazu verwendeten Apparate heißen auch "Wafer-Stepper"). Wegen der endlichen Schärfentiefe der Abbildungsoptiken können nur dünne Fotolacke mit dieser Methode belichtet werden, während mit Kontakt- und Proximitybelichtung auch Lithografie in dicken Fotolacken möglich ist (ein extremes Beispiel ist der Dicklack SU-8). Um tiefere Strukturen (genauer: Strukturen mit hohen Aspektverhältnissen, also Strukturen, die tiefer sind als breit) ausgehend von der Projektionsbelichtung zu erzeugen, wird der (dünne) Fotolack auf eine dicke Schicht von Material aufgebracht, das nach der Entwicklung anisotrop geätzt werden kann. Anisotrope Ätzverfahren sind beispielsweise Reaktivionenätzen oder Ionenstrahlätzen.

=Immersionslithografie

Die Immersionslithografie entspricht im Wesentlichen der Proximity-Belichtung, mit dem Unterschied, dass zwischen Maske und Fotolack ein brechendes Medium, z. B. Reinstwasser gebracht wird, um die Grenzen der Abbildungsgenauigkeit durch den erhöhten Brechungsindex des Mediums zu verbessern. Diese Technik wurde 2005 erstmals in der Massenproduktion eingeführt. Hier kamen auch erstmals Spiegellinsenobjektive zum Einsatz.

Röntgenlithografie

Bei der Verwendung von Röntgenstrahlen aus Quellen mit der nötigen Konvergenz (z. B. Synchrotronstrahlung) lassen sich theoretisch kleinere Strukturen herstellen, bzw. das Verfahren besitzt eine erheblich größere Fokustiefe. Die Maskentechnik gestaltet sich allerdings sehr aufwändig, so dass bis heute keine großtechnische Anwendung dieses Verfahrens abzusehen ist. Sie ist nahe verwandt mit der EUV-Lithographie. Erhebliche Forschungstätigkeiten wurden in den späten 1980er und frühen 1990er Jahren zum Beispiel am ersten Berliner Elektronensynchrotron BESSY vom Fraunhofer Institut für Siliziumtechnik durchgeführt. Die dort verwendete Synchrotronstrahlung hatte ein Emissionsmaximum bei einer Wellenlänge von ca. 7 nm.

EUV-Lithografie

Als konsequente Fortsetzung der optischen Lithografie hin zu kürzeren Wellenlängen und damit kleineren Strukturen gilt die EUV-Lithografie ("Extreme Ultra Violet"), die ab dem Jahre 2009 Wellenlängen um 13,5 nm nutzen soll, um Strukturen zwischen 45 nm und 32 nm und kleiner zu erzeugen. Da die verwendete Wellenlänge nicht, wie in der UV-Lithographie üblich, durch einen Laser emittiert werden kann, sind derzeit mehrere Firmen mit der Entwicklung von EUV-Plasma-Quellen beschäftigt.

DUV-Lithografie

Als Alternative zur EUV-Lithografie kündigte IBM im März 2006 einen Durchbruch mittels DUV ("Deep Ultra Violet") an. Diese Technologie erlaubt eine Strukturverkleinerung auf einen Wert von 29,9 nm. Im Vergleich zu EUV kann ein Laser verwendet werden. Zudem dient zur Immersion nicht mehr Reinstwasser sondern eine andere Flüssigkeit, die von den IBM-Wissenschaftlern zur Zeit (März 2006) noch geheim gehalten wird.

Grautonlithografie

Bei diesem Verfahren werden auf der Maske Strukturen verwendet die kleiner sind als die Auflösungsgrenze des Projektionsobjektives. Dies führt zu einer Helligkeitsmodulation im Bildbereich (ähnlicher Effekt wie bei gerasterten Bildern z.B. im Zeitungsdruck) die von einem Fotolack in entsprechende 3D-Strukturen abgebildet wird. So ist es möglich mikromechansiche und optische Elemente mit den gleichen Methoden herzustellen wie Halbleiterbauelemente.

Alternativen zur Fotolithografie

Elektronenstrahl- und Ionenlithografie

Mit Teilchenstrahlen lassen sich die technischen Schwierigkeiten bei der hochauflösenden Lithografie besser beherrschen. So werden die Fotomasken für die optische Lithografie heute praktisch nur noch im Direktschreibverfahren mittels Elektronenstrahllithografie ("e-Beam") hergestellt. Elektronenstrahlschreiber sind vom Funktionsprinzip her modifizierte Rasterelektronenmikroskope. Der geringe Durchsatz dieses Verfahrens verbietet allerdings die direkte Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Die hohen Kosten für hochauflösende Fotomasken jedoch führen zu vermehrten Versuchen, die Elektronenstrahllithografie trotzdem in Chip-Produktionsanlagen einzuführen, wenigstens für Versuchsfertigungen der neuesten Technologien und besonders kritische (und damit besonders teure) Fertigungsschritte in der normalen Produktion.

Mit „open stencil masks“ und Ionenlithografie wären höhere Durchsätze möglich. Aber auch hier ist aufgrund der aufwändigen Maskentechnik keine Anwendung in großem Maßstab in Sicht.

Laserlithografie

Mit Excimer-Lasern oder ähnlichen Quellen kann der Röntgenlithografieschritt durch die Laserlithographie ersetzt werden. Mit dem Verfahren der Laserablation können Strukturen sogar direkt in das Substrat eingebrannt werden, wodurch der Schritt der Lithografie gänzlich entfällt. Zudem hat man mit dem Verfahren der Mikrostereolithografie die Möglichkeit, Strukturen im Raum aufzubauen, ähnlich dem Verfahren des Rapid Prototyping.

Weblinks

Grautonlithographie zur 3D-Strukturierung
Mikrooptik u.a. mittels Grautonlithographie

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