Elektronenbeugung ist die Beeinflussung der Ausbreitung von Elektronen durch elastische Streuung an einem Ensemble von Streuobjekten (Atomen). Über den Welle-Teilchen-Dualismus sind den Elektronen die de-Broglie-Wellenlängen zugeordnet, so dass mit Elektronen Mikroskopie betrieben werden kann, analog zum Lichtmikroskop.
Da bei Elektronenbeugung nur die Intensitätsverteilung der gebeugten Elektronenwellen, nicht aber deren Phase analysiert werden kann, ist eine direkte Analyse der Struktur des streuenden Materials nicht möglich. Häufig wird eine bestimmte Struktur vorausgesetzt , deren Beugungsmuster berechnet und mit der Messung verglichen wird. Durch sukzessives Anpassen eines solchen "Modells" können dann Atomabstände teilweise bis auf ein Tausendstel Ångström (10-10 m) bestimmt werden.
Es gibt verschiedene Unterarten der Elektronenbeugung. Wichtige sind LEED (engl. low energy electron diffraction), RHEED (engl. reflection high energy electron diffraction) und TED (engl. transmission electron diffraction). LEED und RHEED sind Verfahren zur Oberflächenanalyse, TED ist ein Volumenverfahren, also geeignet zur Untersuchung des Materialinneren (mit der für Elektronentransmissionsverfahren gegebenen Einschränkung der Materialdicke, siehe unten). Eine besondere Variante der TED ist GED (engl. gas electron diffraction), bei der der scheinbare Widerspruch zwischen einer Versuchsdurchführung im Vakuum und der Beugung an Gasen als Versuchsobjekt geschickt gelöst wird.
Im Vergleich zur Röntgenbeugung, bei der Wellenlängen in der Größenordnung im Bereich von etwa einem Ångström, der Größenordnung der Atomdurchmesser, benutzt werden, liegen die Wellenlängen bei der Elektronenbeugung je nach Verfahren deutlich darunter, bei Elektronenenergien von 100keV z. B. bei etwa 0,037 Ångström.
LEED wird vor allem zur Analyse von Werkstoffoberflächen eingesetzt. Dazu wird im Ultrahochvakuum (UHV) eine Oberfläche mit langsamen, energiearmen (10 - 200 eV) Elektronen beschossen und diese werden an den obersten Schichten in charakteristischer Weise gebeugt.
Durch die geringe mittlere freie Weglänge der energiearmen Elektronen im Kristall (ca. 1 Monolage) ist dieses Verfahren sehr oberflächensensitiv.
RHEED wird gleichfalls zur Analyse von Materialoberflächen eingesetzt. Hierbei werden Elektronen mit Energien von einigen keV bis etwa 100 keV unter einem flachen Winkel auf die Oberfläche geschossen. Da RHEED wie LEED ein Oberflächenuntersuchungsverfahren ist, werden RHEED-Messungen in der Regel auch im Ultrahochvakuum (UHV) durchgeführt.
TED wird zur Analyse des Materialinneren eingesetzt. Es werden Elektronen mit Energien von einigen 10 keV bis einigen 100 keV durch eine hinreichend dünne Materialprobe (einige 10 nm bis einige 100 nm) geschossen. Diese Methode ist eine Standardmethode der Transmissionselektronenmikroskopie. Die Kombination von Abbildung und Beugung in einem Transmissionselektronenmikroskop ist besonders nützlich. Aufgrund der geringen Wellenlänge der benutzten Elektronen lässt sich der Elektronenstrahl in einem modernen TEM auf etwa 20nm fokussieren ohne dass der Strahl merklich an Parallelität verliert, so dass Beugungsuntersuchungen von sehr kleinen Bereichen möglich sind. Soll der Elektronenstrahl auf noch kleinere Durchmesser fokussiert werden, so muss sein Konvergenzwinkel zwangsläufig zunehmen. Man spricht dann von CBED (engl. Convergent Beam Electron Diffraction).
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